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台积电三星等全球晶片大厂组研发联盟 韩媒：力抗中国长鑫存储
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台积电、三星、应用材料等联手，揭幕EPIC中心对抗中国。
（综合15日电）美国半导体设备大厂应用材料近日在加州森尼韦尔为EPIC研发中心揭幕，集结三星电子、SK海力士、台积电等全球半导体巨头，共同推进先进制程与设备研发。韩国商报报导，这项合作旨在因应中国半导体产业快速崛起，尤其是记忆体大厂长鑫存储带来的竞争压力。
EPIC中心总投资额达50亿美元，是全球最大的半导体制程技术与制造设备联合研发设施。创始合作伙伴包括三星电子、SK海力士、台积电、英特尔及美光；创新合作伙伴则涵盖博通、爱德万测试、Screen、铠侠、Besi，以及史丹佛大学、加州大学柏克莱分校等学术机构。
SK海力士执行长郭鲁正表示，将透过与应用材料合作，因应高频宽记忆体、DRAM及NAND等领域的重大技术转折。韩国商报指出，这项全球性合作与中国积极争取半导体产业主导地位有关，中国的目标已不仅止于实现晶片自主生产。
受到美国先进技术出口管制影响，中国与西方国家的半导体技术交流几乎中断，北京当局正透过政府主导的研发计画突破限制，加速提升竞争力。例如，美国阻止荷兰艾司摩尔向中国出口极紫外光微影设备后，中国转而自行开发深紫外光微影设备，试图缩小先进制程技术差距。
在此背景下，中国DRAM龙头长鑫存储迅速扩张，近期宣布已开始量产新一代行动记忆体LPDDR6，并计画率先採用新一代DRAM架构4F2，在今年内推出伺服器记忆体DDR5 RDIMM。三星与SK海力士目前均尚未宣布採用相同架构的量产计画。
市场研究机构Counterpoint Research等数据显示，今年第2季三星在全球DRAM市场以39％市占率排名第一，NAND市占率则达29.3％。长鑫存储的DRAM市占率已攀升至10％，较去年同期的4％增加逾1倍，正加速追赶全球主要记忆体制造商。