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英特尔公布全球最薄氮化镓晶片 特朗普让股价飙涨200％
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英特尔研发出全球最薄的氮化镓晶片。
（综合10日电）英特尔代工服务再创里程碑，成功打造全球首款、也是目前最薄的氮化镓（GaN）晶片，厚度仅19微米，不只刷新制程纪录，也为高效能运算与通讯应用带来全新想像。值得注意的是，自美国总统特朗普宣布投资英特尔後，至今股价涨幅超过200％。
英特尔表示，旗下晶圆代工中心研究团队以300毫米矽基氮化镓晶圆为基础，完成前所未见的GaN晶片技术展示。这项突破被视为半导体设计的一大跃进，相关成果已对外公布，引起产业高度关注。
英特尔晶圆代工中心说明，这项技术已於2025年IEEE国际电子元件会议亮相，核心目标是解决运算设备在有限空间中，仍需追求更高效能与能源效率的难题。团队开发的超薄GaN晶片，矽基底仅19微米，约为头发直径的五分之一，并首次在单一制程中，完整整合晶片上的数位控制电路。
英特尔指出，随着传统矽技术逐渐逼近物理极限，GaN成为关键替代方案。这种整合设计能减少额外晶片需求，降低讯号传输损耗，可靠性测试结果也显示具备商品化潜力。未来不论是资料中心节能运算，或5G、6G基地台所需的射频前端，都可望受惠。
值得注意的是。自美国总统特朗普於2025年8月22日宣布政府入股英特尔後，截至2026年4月9日，英特尔股价已从20美元区间一路攀升，收盘站上61美元，涨幅超过200％。